ダミーロードや、
真空管試験機の実験をしていると、
ついパワーMOS FETを壊してしまいます。
そこで、パワーMOS FETの簡易検査冶具を作ってみました。 回路図のように検査試料をつなぎ、 ボリュームでゲート電圧を 0V から上げて行くとドレイン電流はしばら 0 で、 その後、じょじょに上がり、Id = 1mAで下表に示すゲート電圧を取り、 更に、定電流まで上がればOKです。 Id-Vgs特性の最初のほんの一部しかたっどてませんが、この部分が正常ですとパワーMOS FETは壊れていません。 定電流値は放熱板なしのパワーMOS FETの許容損失以内の電流値です。 定電流回路を入れないと、Idは瞬時に大きくなり、パワーMOS FETを壊してしまいます。 |
2SK3234の Id-Vgs 特性
NチャンネルMOS FET | Min[V] | Typ[V] | Max[V] | 実測値[V] |
---|---|---|---|---|
2SK1297 (60V 100W 若松\???) | 1.0 | - | 2.0 | 1.34 |
2SK3234 (500V 35W 秋月\200) | 3.0 | - | 4.0 | 3.4 |
2SK2257 (500V 150W 鈴商\500) | 2.5 | 3.0 | 3.5 | 3.0 |
2SK2674 (900V 100W 鈴商\200) | 2.5 | 3.0 | 3.5 | 3.1 |
2SK3017 (900V 90W 鈴商\500) | 2.0 | - | 4.0 |
回路図
写真1 (2SK3234の検査、左:電流計 0.85mA、右:電圧計 10Vレンジで3.4V)
写真2 (左:LM317、右:2SK3234)
左上の赤黒線に電流計、右横の赤黒線に電圧計をつなぐ