真空管電源を
検査するのでダミーロード作りました 負荷はNチャンネルパワーMOS FETです。 ドレインソース間に300Vぐらいの電圧をかけ、ゲートソース間に0Vから5Vまで電圧を 上げて行くとドレインソース間に電流が流れ始め、あっというまにショートしてしまいます。 このオフ状態−高抵抗―低抵抗の状態をダミーロードとして利用したいのですが、ちょっと ゲートソース間の電圧を上げるとショート状態になってしまいFETを破壊してしまいます。 そこでソースアース間に抵抗を入れドレイン電流にブレーキをかけました。 詳細は回路図に書いてあります。 放熱が多い状態ではVR1で電流を設定した後、電流値が徐々に上がって行きますがやがて止まります。 (放熱が良いほど改善される) この動いている瞬間に電流、電圧を読みます。 最大測定値をひかえめににしてるのは放熱板が貧弱なためです。 ドレイン電流とゲート電圧の関係は パワーMOS FETの簡易検査で確認できます。 |
最大測定値 | 40W | 低電圧 | 例 15V, 2.5A |
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高電圧 | 例 300V, 130mA | ||
例 400V, 100mA |
回路図
完成品
完成品(裏)