単電源・ウィーンブリッジ発振回路
(FETでゲイン制御する)
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ウィーンブリッジ発振回路(FETでゲイン制御する)を単電源で実験してみました。 J-FETは、ゲートに電圧を加えない状態では、ドレイン、ソース間の抵抗値が小さい状態ですが、 ゲートに電圧を加えると、ドレイン―ソース間の抵抗値が大きくなります。この性質を利用して、 R4の抵抗にJ-FETを加えて、ゲイン制御させます。 今回使用した2SK30ATMのIDSSは2.6mAです。回路図1の2SK30ATMのGS間は-0.896Vです。 このデータよりR4 + 2SK30ATMのDS間 = 5KΩ ( = R3 / 2) となるはずです。 回路図1で1S1588の場合はVCCは約6V以上、LEDの場合はVCCは約8V以上必要です。 回路図2はVCCは約5V以上で動作します。（R5の調整の必要な場合もある） 2SK30ATMの互換品として2SK246が入手できましたので実験してみるとうまく行きました。 ランクは2SK30ATM(Y)の上のGRですので出力波の振幅4Vp-pと大きくなりました。 (VCC=10V、1S1588を使用) ピンの配置(S G D)も同じです。 |
回路図1
VCC = 10Vでの出力波形 1S1588を使用 (1V/DIV, 0.2ms/DIV)
VCC = 10Vでの出力波形 1S1588をLED(VF=約2V))にする (1V/DIV, 0.2ms/DIV)
回路図2
VCC = 5Vでの出力波形 1SS99で倍電圧整流 (1V/DIV, 0.2ms/DIV)
